XL-Flash Gen 2: Kioxia verdoppelt die Kapazität des Turbo-NAND Kioxia FMS2022
Während die erste Generation XL-Flash pro Chip 128 Gbit Speicherplatz bot und dabei auf 1 Bit pro Speicherzelle setzte, wird dies bei der zweiten Generation des XL-Flash verdoppelt: 2 Bit pro Zelle bedeuten Chips mit 256 Gbit . Allerdings dürfte darunter die Leistung und auch die Haltbarkeit leiden, zumindest ist dies bei herkömmlichem NAND-Flash mit jedem weiteren Bit in den Zellen der Fall.
Die zweite Generation des XL-FLASH ermöglicht eine erhebliche Senkung der Bit-Kosten durch das Hinzufügen der neuen Multi-Level-Cell -Funktionalität mit 2 Bit pro Zelle zusätzlich zu der Single-Level-Cell -Funktionalität des derzeitigen Modells. Außerdem wurde die maximale Anzahl der Ebenen, die gleichzeitig arbeiten können, gegenüber dem aktuellen Modell erhöht, wodurch der Durchsatz verbessert werden kann.
Im November sollen die ersten Muster des XL-Flash Gen2 ausgelieferten werden. Die Massenfertigung soll hingegen erst 2023 anlaufen.Zwar ist der XL-Flash lange nicht so schnell wie 3D XPoint, bietet aber eine wesentlich größere Speicherdichte und ist damit auch günstiger in der Herstellung. Im Vergleich der jeweils ersten Generation ist die Speicherdichte von XL-Flash sogar
. Moderner NAND-Flash erreicht allerdings Flächendichten von rund 15 Gb/mm² und ist daher noch erheblich günstiger und ein echtes Massenprodukt, ganz im Gegensatz zum „Turbo-NAND“ von Kioxia und Samsung.14,6Intel/Micron 96L Kioxia/WD BiCS5 128L Samsung V6 128L Einheit: Gigabit pro mm²im Programm. Nicht beim sequenziellen Durchsatz, sondern bei den Zugriffszeiten sind diese besonders schnell.
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