Bluff: Russische Uni will Lithografie-Systeme für 7-Nanometer-Chips herstellen Russland EUV
Die Lobatschewski-Universität Nischni Nowgorod sorgt für Schlagzeilen. Sie will bis zum Jahr 2028 Lithografie-Systeme herstellen, die sich für Chip-Fertigungsprozesse der 7-Nanometer-Klasse eignen. Das soll der russischen Halbleiterindustrie einen Kickstart verpassen. Schon 2024 sollen Prototypen bereitstehen. Sollte das auch nur ansatzweise funktionieren, wäre das eine große Überraschung.
. Dahinter verbirgt sich ein Aufbau, der im Ansatz den Systemen des Weltmarktführers ASML mit extrem-ultravioletter Belichtungstechnik ähnelt: Ein Laser regt ein Xenon-Plasma an, das Licht beziehungsweise weiche Röntgenstrahlung mit einer Wellenlänge von 11,3 Nanometern erzeugt. Spezielle Spiegel und Linsen leiten das Licht durch eine Belichtungsmaske und zum Silizium-Wafer.
Die bisherigen EUV-Lithografie-Systeme von ASML nutzen eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 13,5 nm. Bei der nächsten Generation mit hoher numerischer Apertur erhöhen anamorphe Spiegeloptiken die Auflösung auf 8 nm – diese Belichtungsmaschinen sind ab der 2-nm-Fertigungsgeneration notwendig. Bislang gibt es keinen anderen Hersteller, der serientaugliche EUV-Lithografie-Systeme produziert.
Ein Blick in ASMLs Twinscan-NXE:3400-System zeigt, wie komplex moderne Belichtungsmaschinen sind. Der violett gerenderte Bereich visualisiert den Verlauf der Lichtquelle.Das Team der Lobatschewski-Universität Nischni Nowgorod gibt zu, dass die eigenen Systeme in Bezug auf die Belichtungsgeschwindigkeit niemals mit der Konkurrenz von ASML mithalten können werden.
Allein dieser Anregungslaser des deutschen Zulieferers Trumpf besteht aus 450.000 Teilen und wiegt 10 Tonnen. Auf eine solche Zulieferer-Expertise kann die russische Universität nicht zurückgreifen. Die notwendigen Optiken soll das Institut für Mikrostrukturphysik RAS beisteuern – zumindest derzeit erreichen dessen Spiegel offenbar aber nicht die notwendige Reinheit. Für ASML liefert einzig Zeiss passende Optiken.
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